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H2S系列硫化氫氣體腐蝕試驗(yàn)箱 本產(chǎn)品嚴(yán)格按照GB2423.20-1981《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法》試驗(yàn)要求以及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行各種腐蝕氣體試驗(yàn)制造。

H2S-100硫化氫氣體腐蝕試驗(yàn)箱 適用于機(jī)械零部件、電子元?dú)饧⒔饘俨牧系姆雷o(hù)層以及工業(yè)產(chǎn)品的腐蝕性氣體試驗(yàn)。

GB2423.20接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)設(shè)備 本產(chǎn)品按照GB2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法設(shè)計制造，適用于機(jī)械零部件、電子元?dú)饧⒔饘俨牧系姆雷o(hù)層以及工業(yè)產(chǎn)品的腐蝕性氣體試驗(yàn)。

10～35ppm低濃度硫化氫腐蝕試驗(yàn)箱 GB/T5170.11-1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 腐蝕氣體試驗(yàn)設(shè)備 GB2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法